Hynix Semiconductor во вторник, 19 августа, анонсировала использование новой DDR3 технологии компании MetaRAM в новых поколениях своих Registered Dual Inline Memory Modules (R-DIMM).
Hynix Semiconductor во вторник, 19 августа, анонсировала использование новой DDR3 технологии компании MetaRAM в новых поколениях своих Registered Dual Inline Memory Modules (R-DIMM). На Intel Developer Forum (IDF), проходящий в Сан Франциско, компания представила две новых планки памяти: 16ГБ 2-rank DIMM (первую в мире, по утверждениям представителей компании) и 8ГБ 2-rank DIMM. Hynix твердит о преимуществах 2-rank DIMM (включая емкости DDR3 памяти)технологии для серверов и рабочих станций, при этом, заявляя об отсутствии каких-либо негативных последствий в отношении эксплуатационных качеств.
Intel на IDF демонстрирует Hynix 16ГБ 2-rank DIMM с DDR3 чипсетом от MetaRAM наряду с 160ГБ сервером, использующим DDR3 R-DIMM и Meta SDRAM технологию. MetaRAM утверждает, что их чипы предоставляют большие объемы памяти без потерь в рабочей частоте канала DDR3 памяти. Компания продемонстрировала 24ГБ DDR3 SDRAM чип, который работает со скоростью 1066 млн трансферов в секунду (MT/s).
Ожидается, что данная технология будет использоваться в грядущих моделях рабочих станций и серверов на основе Intel Xeon, включая Mac Pro.
